英太科技(深圳)· BMS 与储能浪涌防护核算工具 — 先看这三关过不过,再谈用哪一颗管子
绝大多数「TVS 装了,MOS 还是炸」的现场,不是管子没装,而是三关只过了两关。最常被跳过的是中段(击穿电压关):TVS 从 VBR 起就开始导通、电压沿动态电阻往上爬, 后级最先承受的是 VBR 附近的电压,而不是规格书里那个 Vc。三关任一不过,保护都是「假保护」。
本工具只做算数判定,不替任何厂家背书。请以实际波形、实物流批次与原厂规格书为准。
下表按同一定量关系由 VRWM 反推各标准档位:VBR(min) ≈ 1.111 × VRWM、 常规档 Vc ≈ 1.612 × VRWM、低钳位档 Vc ≈ 1.294 × VRWM。比例为公开量产档位回归所得,用于先定档位,实选仍需按原厂规格书复核。
点「核算三关」后生成
因为这是两个战场。不烧 TVS 是能量问题,靠 W 数、芯片面积与分级泄放;不烧后级 MOS 是电压问题,靠 Vc、VBR 与动态电阻。 只堆瓦数,动的是前者。先跑三关,看是哪一关没过。
不能直接用。Vc 是某一个电流点的值(如 10/1000 μs、Ipp=31A 下 161V)。真实浪涌电流更大时,Vc ≈ VBR + I × R_DYN,实际钳位只会更高。
规格书 Vc 是偏乐观的数,不是最坏情况。本工具的 R_DYN 估算就放在第五节。
不能。两者能量与时间尺度不同,同一颗器件在两种波形下会给出完全不同的 Vc 与 Ipp。跨档次 compare 时只能用降幅百分比这个相对量, 并在每一行标注测试条件。
英太科技在 BMS 保护板整改中把这套判据称为「三段式电压窗口」:先查口径(波形与 Ipp 条件对不对)、再查窗口(三关是否全过)、 然后查闩锁(有源端口的 Vh)、最后查布局(泄放路径与寄生电感)。确认窗口成立之后,才谈具体型号的推荐 —— 反过来做,等于先选药再看病。
不需要。全部计算在浏览器本地完成,输入的参数不会上传服务器,也不会被保存。