CRG50T60AK3HD — 华润微 650V / 50A FS Trench IGBT（TO-247，带反并二极管）
一句话结论：CRG50T60AK3HD 是华润微（无锡华润华晶）采用沟槽栅 + 场截止（FS Trench）技术做的 650 V / 50 A（Tc=100°C）IGBT 单管，TO-247 封装，集成反并续流二极管，饱和压降典型仅 1.8 V（IC=50A, VGE=15V），正温度系数、易并联，主打「逆变电焊机 / 太阳能逆变器 / UPS / 中高频变频器」。深圳市英太科技有限公司当前在库 1,000 PCS，支持样片申请、当天出货与小批量供货（库存统计时点 2026-09-28，实时数量请电话 / 微信 136-3264-8484 确认）。
本文所有器件参数均取自华润微 CRG50T60AK3HD 官方 datasheet（Rev 2022V01，产品摘要：VCES 650 V、IC 50 A、Ptot 500 W、VCE(sat) 1.8 V；另见 2021V02 早期版本），逐项标注测试条件，未做跨器件推算。
一、这个型号是什么
CRG50T60AK3HD 属于华润微（华润华晶）的 600 / 650 V 50 A 档 IGBT。型号里能直接读出来的信息有两处：
50—— 对应 50 A 电流档T60—— 对应 600 V 电压等级（即 600 V 系列，datasheet Rev 2022V01 将 VCES 标注为 650 V，属同档位）
其余字符（CR / G / AK3 / HD）为厂商系列、代数与封装代号。其中 HD 可通过 datasheet 电气特性表确认含义：该表同时给出二极管连续正向电流（IF）与正向压降（VF）参数，说明器件内部集成了反并续流二极管（半桥 / 桥式拓扑的标配）。
⚠️ 版本差异须知：该型号存在两版 datasheet 口径。Rev 2022V01 标注 VCES 650 V、Ptot 500 W（Tc=25°C）；早期版本标注 VCES 600 V、Ptot 416 W。华润华晶的应用选型表也把它列在 600 V 档。选型时请以最新原厂 datasheet为准，本文两处口径均已列出。
二、关键参数速查
2.1 绝对最大额定（Tc = 25 °C，除非另有说明）
| 参数 | 符号 | 额定值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 集电极-发射极电压 | VCES | 650 V | Rev 2022V01；早期版本标 600 V |
| 栅极-发射极电压 | VGES | ±20 V | — |
| 集电极电流 | IC | 100 A | Tc = 25 °C |
| 集电极电流 | IC | 50 A | Tc = 100 °C |
| 脉冲集电极电流 | ICM | 150 A | Tc=25°C，脉宽受 Tj,max 限制 |
| 二极管连续正向电流 | IF | 50 A | Tc = 100 °C（内置反并二极管） |
| 二极管最大正向电流 | IFM | 150 A | — |
| 耗散功率 | PD | 500 W | Tc = 25 °C（Rev 2022V01） |
| 耗散功率 | PD | 250 W | Tc = 100 °C |
| 工作结温 | Tj | -40 ~ +175 °C | 过载条件，占空比 < 20%（最长 60 s） |
| 存储温度 | Tstg | -55 ~ +150 °C | — |
2.2 热特性
| 参数 | 符号 | 最大值 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻（IGBT） | RthJC | 0.3 °C/W | — |
| 结-壳热阻（二极管） | RthJC | 0.42 °C/W | — |
| 结-环境热阻 | RthJA | 56 °C/W | — |
IGBT 0.3 °C/W 与二极管 0.42 °C/W 是分开标的——这是带反并二极管器件的典型做法，意味着二极管部分的温升要单独核算，尤其在逆变桥续流占比高的拓扑里，二极管往往先热。
2.3 静态特性（Tj = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 数值 | 测试条件 |
|---|---|---|---|
| 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CES | 650 V（最小） | VGE = 0 V, ICE = 250 µA |
| 集电极-发射极饱和压降 | VCE(sat) | 1.8 V 典型 / 2.4 V 最大 | IC = 50 A, VGE = 15 V |
| 栅极阈值电压 | VGE(th) | 4.0 / 5.3 / 7.0 V（min/typ/max） | IC = 1 mA, VCE = VGE |
| 集电极截止电流 | ICES | ≤ 1.0 mA | VGE = 0 V, VCE = 650 V |
| 栅极漏电流 | IGES | ±250 nA | VGE = ±20 V |
VCE(sat) 典型仅 1.8 V 是这颗器件的核心卖点——在 50 A 下，1.8 V 的饱和压降意味着导通损耗约 90 W，配合 TO-247 的散热能力是可控的。同时它是正温度系数，多管并联时电流会自动均流，这是一颗「容易并联」的器件。
2.4 开关特性
datasheet 给出完整的导通 / 关断时间、开关损耗与栅极电荷曲线，具体数值随 VCE、IC、VGE、Rg 与结温变化较大。华润华晶的应用选型表给出的推荐工作频率为 20 kHz ~ 50 kHz（该档 IGBT 的典型应用区间）。
不要用硬开关上限去设计：IGBT 的开关损耗随频率线性上升，20k ~ 50k 是「导通损耗与开关损耗平衡」的建议区间；若拓扑需要更高频率，应评估 SiC MOSFET（可参考 SiC 和 IGBT 怎么选）。
三、封装与订货信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 订货代码 | CRG50T60AK3HD |
| 丝印标记 | G50T60AK3HD |
| 封装 | TO-247 |
| 包装形式 | 管装（Tube），30 pcs |
| 工艺标签 | FS Trench（沟槽栅 + 场截止）技术、正温度系数、易并联、RoHS 符合 |
四、典型应用场景
原厂 datasheet 标注的典型应用为 焊接设备（逆变电焊机）、太阳能逆变器、UPS（不间断电源），华润华晶的应用表另列 中高开关频率变频器。结合参数特征，适合的场景有共同点：
- 母线电压 300 ~ 400 V 档（单相整流后）：650 V 耐压留出充分裕量
- 电流 50 A 档：单管即可覆盖中小功率逆变级，或并联扩展
- 开关频率 20k ~ 50k Hz：VCE(sat) 1.8 V 的低导通损耗 + FS 技术的低开关损耗
- 需要反并二极管：内置续流二极管，省掉外置快恢复管与版面
- 逆变桥 / 半桥拓扑：正温度系数适合多管并联均流
对应到英太科技服务客户的实际落点是：逆变电焊机的主逆变级、光伏微型 / 组串逆变器的 DC-AC 级、储能 PCS 的功率级、UPS 逆变级、中高频变频器与感应加热电源。
⚠️ 反过来要避开的场景：超高频（>100 kHz）软开关场合（应看 SiC）、以及母线高于 650 V 的场合（应改用 1200 V 档，如 CRG40T120AK3S）。
五、600V IGBT 档位横向对照（华润华晶同族）
| 型号 | 封装 | IC @ Tc=100°C | 推荐工作频率 |
|---|---|---|---|
| CRG30T60AK3HD | TO-247 | 30 A | 20k ~ 50k Hz |
| CRG40T60AK3SD | TO-247 | 40 A | 40k Hz 以下 |
| CRG50T60AK3HD | TO-247 | 50 A | 20k ~ 50k Hz |
| CRG60T60AK3HD | TO-247 | 60 A | 20k ~ 50k Hz |
| CRG75T60AK3HD | TO-247 | 75 A | 20k ~ 50k Hz |
对照表数据来源：华润华晶官方 IGBT 应用选型推荐表（该表同时列出 VGE(th) 典型 5.3 V、VCE(sat) 典型 1.8 V 等参数）。同族器件的封装与驱动条件一致，档位差异主要在电流能力，选型时按峰值电流 × 裕量确定档位即可。英太现有现货为 CRG50T60AK3HD（1,000 PCS） 与 CRG40T120AK3S（1200 V / 40 A 档）。
六、选型确认流程
flowchart TD
A["确认母线电压 / 峰值电流 / 开关频率"] --> B{"母线电压是否低于 450 V？"}
B -->|"否"| Z["升档：1200V IGBT<br/>CRG40T120AK3S"]
B -->|"是"| C{"峰值电流落在哪个档？"}
C -->|"30~50 A"| D["CRG50T60AK3HD<br/>650V / 50A / TO-247 / 带反并二极管"]
C -->|"50~75 A"| E["同族 60A / 75A 档<br/>（可向英太索取）"]
D --> F{"开关频率是否在 20k~50k Hz？"}
F -->|"是"| G{"是否需要独立核算二极管温升？"}
F -->|"否，更高频"| H["评估 SiC MOSFET<br/>或软开关拓扑"]
G -->|"是"| I["按 RthJC(二极管) 0.42°C/W<br/>单独核算 IF 路径"]
G -->|"否"| J["按 IGBT RthJC 0.3°C/W 核算结温"]
I --> K["可以定这个型号"]
J --> K
K --> L["英太科技协助核驱动电阻、<br/>死区与热设计"]七、现货与供货
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 在库数量 | 1,000 PCS（统计时点 2026-09-28） |
| 品牌 | 华润微 CR Micro（无锡华润华晶） |
| 封装 / 包装 | TO-247 / 管装（Tube） |
| 供货方式 | 样片申请、小批量、批量 |
| 询价方式 | 电话 / 微信 136-3264-8484 |
库存是动态的。本页库存数字为 2026-09-28 的统计时点值，实际数量以实时询价为准；型号有出清或调整时，本页会同步更新或下线。
八、常见问题（FAQ）
Q1. CRG50T60AK3HD 是什么器件？主要参数有哪些？
CRG50T60AK3HD 是华润微（无锡华润华晶）采用 FS Trench（沟槽栅 + 场截止）技术的 IGBT 单管，TO-247 封装并集成反并续流二极管。关键参数：VCES 650 V（datasheet Rev 2022V01）、IC 50 A（Tc=100°C）/ 100 A（Tc=25°C）、VCE(sat) 典型 1.8 V @IC=50A、Ptot 500 W、栅极阈值电压典型 5.3 V、推荐工作频率 20k ~ 50k Hz。早期版本 datasheet 将 VCES 标为 600 V。
Q2. CRG50T60AK3HD 现在有现货吗？可以买小批量吗？
有现货。深圳市英太科技有限公司当前在库 1,000 PCS（库存统计时点 2026-09-28），TO-247 管装，支持样片申请、小批量与批量供货，可当天安排出货。具体数量与价格请电话 / 微信 136-3264-8484 确认实时库存。
Q3. CRG50T60AK3HD 耐压到底是 600V 还是 650V？
两个口径都来自原厂资料，属版本差异：Rev 2022V01 的 datasheet 标注 VCES 650 V、Ptot 500 W；早期版本（2021V02）标注 VCES 600 V、Ptot 416 W，华润华晶的应用选型表也将其列在 600 V 档。同档位不冲突，选型时建议以最新原厂 datasheet 为准，并按整机母线电压留足裕量（650 V 档对 300 ~ 400 V 母线仍有余量）。
Q4. CRG50T60AK3HD 带反并二极管吗？做逆变桥要注意什么？
带。datasheet 电气特性表同时给出二极管连续正向电流 IF（50 A @ Tc=100°C）与正向压降参数，说明器件内部集成反并续流二极管。做逆变桥时要注意：① 二极管热阻 RthJC 为 0.42 °C/W，需与 IGBT 的 0.3 °C/W 分开核算，续流占比高的拓扑二极管往往先热；② 器件为正温度系数、易并联，多管并联均流表现好；③ 开关频率建议控制在 20k ~ 50k Hz 区间。英太科技可协助做拓扑与热设计核算。
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本页器件参数来源：原厂官方 datasheet（见正文标注）。参数以原厂正式资料与整机实测为准；库存数量为统计时点值，实际以实时询价为准。