MMHS70R1K6QURH — 美格纳 700V / 1.6Ω 超结 MOSFET
一句话结论：MMHS70R1K6QURH 是美格纳（MagnaChip）用超级结（Super Junction）工艺做的 700 V / 1.6 Ω N 沟道功率 MOSFET，SOT-223-2L 贴片封装，连续漏极电流 5.4 A、总栅极电荷仅 6.1 nC（典型值），主打「高压 + 低导通损耗 + 低开关损耗 + 低 EMI」。深圳市英太科技有限公司当前在库 21,000 PCS，支持样片申请、当天出货与小批量供货（库存统计时点 2026-09-28，实时数量请电话 / 微信 136-3264-8484 确认）。
本文所有器件参数均取自**美格纳官方 datasheet（MMHS70R1K6Q，Rev 1.1，2021-01-07）**与美格纳官网 700 V SJ MOSFET 产品页，逐项标注测试条件，未做跨器件推算。
一、这个型号是什么
MMHS70R1K6QURH 属于美格纳 700 V 超级结 MOSFET 家族里的 1.6 Ω 档。型号里能直接读出来的信息有两处：
70—— 对应 700 V 电压等级（同族的 MMD70R600、MMD70R900 也都是 70 打头）1K6—— 对应 RDS(on) 1.6 Ω（同族1K4对应 1400 mΩ、900对应 900 mΩ）
其余字母（MMHS / Q / U / RH）为厂商内部的系列、栅极电荷档、封装与包装代号，本文不做推断性解读，需要时以原厂 datasheet 订货信息表为准。
它的定位很明确：耐压高（700 V）、导通电阻不算最低但栅极电荷很小，适合「母线电压高、开关频率不低、单管功率不大、又希望贴片省空间」的场景。
二、关键参数速查
2.1 绝对最大额定（Tc = 25 °C，除非另有说明）
| 参数 | 符号 | 额定值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 700 V | — |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 V | — |
| 连续漏极电流 | ID | 5.4 A | Tc = 25 °C |
| 连续漏极电流（降额） | ID | 3.4 A | Tc = 100 °C |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 16.2 A | 脉宽受 Tj,max 限制 |
| 耗散功率 | PD | 5.4 W | Tc = 25 °C |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 26 mJ | — |
| MOSFET dv/dt 耐量 | dv/dt | 50 V/ns | — |
| 二极管 dv/dt 耐量 | dv/dt | 15 V/ns | ISD ≤ ID 且 VDS 峰值 ≤ V(BR)DSS |
| 存储温度 | Tstg | -55 ~ 150 °C | — |
| 最高工作结温 | Tj | 150 °C | — |
2.2 热特性
| 参数 | 符号 | 最大值 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | Rthjc | 23 °C/W | 封装散热焊盘到壳 |
| 结-环境热阻 | Rthja | 75 °C/W | 无额外散热条件 |
这两个数字是判断「SOT-223 能不能扛住」的关键。SOT-223-2L 是贴片小封装，散热能力有限——大电流场合要先用 Rthjc + 实际 Pd + 壳温反算结温，不要只看 5.4 A 这个数字。
2.3 静态特性（Tc = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 数值 | 测试条件 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 700 V（最小） | VGS = 0 V, ID = 250 µA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | 2 / 3 / 4 V（最小/典型/最大） | VDS = VGS, ID = 250 µA |
| 导通电阻 | RDS(on) | 1.4 Ω 典型 / 1.6 Ω 最大 | VGS = 10 V, ID = 1.0 A |
| 关断漏电流 | IDSS | ≤ 1 µA | VDS = 700 V, VGS = 0 V |
| 栅极漏电流 | IGSS | ≤ 100 nA | VGS = ±30 V, VDS = 0 V |
2.4 动态特性（Tc = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 典型值 | 测试条件 |
|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | 225 pF | VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz |
| 输出电容 | Coss | 300 pF | 同上 |
| 反向传输电容 | Crss | 12 pF | 同上 |
| 等效输出电容（能量） | Co(er) | 11 pF | VDS = 0 ~ 560 V |
| 总栅极电荷 | Qg | 6.1 nC | VGS = 10 V, VDS = 560 V, ID = 5.4 A |
| 栅源电荷 | Qgs | 1.3 nC | 同上 |
| 栅漏电荷（米勒电荷） | Qgd | 3.3 nC | 同上 |
| 开通延迟时间 | td(on) | 11 ns | VGS = 10 V, RG = 25 Ω, VDS = 350 V, ID = 5.4 A |
| 上升时间 | tr | 25 ns | 同上 |
| 关断延迟时间 | td(off) | 30 ns | 同上 |
| 下降时间 | tf | 24 ns | 同上 |
| 内部栅极电阻 | RG | 24 Ω | VGS = 0 V, f = 1 MHz |
Qgd 3.3 nC 这个数字值得单独看一眼：栅漏电荷（米勒电荷）是决定开关损耗与 dv/dt 的核心量，3.3 nC 在 700 V 档属于偏小的，意味着同样的驱动条件下开关更快、米勒平台更短——但如果驱动回路 parasitics 没处理好，过快的 dv/dt 反而会带来 EMI 与串扰问题。
三、封装与订货信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 订货代码 | MMHS70R1K6QURH |
| 丝印标记 | 70R1K6Q |
| 封装 | SOT-223-2L（3 引脚，含散热焊盘） |
| 包装形式 | 卷带（Reel） |
| 温度范围 | -55 ~ 150 °C |
| RoHS / 无卤 | 符合（Pb-Free Plating, Halogen Free） |
工艺与可靠性标签（原厂标注）：
- 采用超级结（Super Junction）电荷耦合技术，低导通电阻 + 低栅极电荷
- 100% 雪崩测试（EAS 26 mJ）
- Green Package：无铅电镀、无卤素
四、典型应用场景
美格纳 datasheet 标注的典型应用是 PFC 电源级 / 开关应用 / 适配器。从参数特征反过来推，它适合的场景有共同点：
- 母线电压在 400 ~ 700 V 档：700 V 耐压留出足够裕量，又不需要上到 800 V / 900 V 档
- 单管功率不大、但开关频率不低：Qg 只有 6.1 nC，驱动损耗低，适合几十 kHz 到上百 kHz 的硬开关场合
- 空间受限、必须贴片：SOT-223-2L 比 TO-220F / D2PAK 省板面积，适合高密度小板
- 对 EMI 敏感：超级结的电荷耦合优化本身就是为降低 EMI 设计的
对应到英太科技服务客户的实际场景，常见落点是：储能系统的辅助电源 / 控制电源一次侧、光伏优化器与微型逆变器的内部电源、工控开关电源的 PFC 级、充电器与适配器。
⚠️ 反过来要避开的场景：主功率级大电流（>10 A）、需要极低导通电阻的场合、散热条件差且长期满载的场合——这些应该看同族的 D2PAK / TO-220F 档位，或者重新评估 RDS(on) 档。
五、700 V 超结系列里怎么选（同族型号对照）
| 型号 | 封装 | RDS(on) 最大 | ID（Tc=25°C） |
|---|---|---|---|
| MMHS70R1K4PRH | SOT-223-2L | 1400 mΩ | 3.2 A |
| MMHS70R1K6QURH | SOT-223-2L | 1600 mΩ | 5.4 A |
| MMHS70R1K6RZURH | SOT-223-2L | 1690 mΩ | 5.4 A |
| MMD70R1K4PRH | DPAK | 1400 mΩ | 3.2 A |
| MMD70R900PRH | DPAK | 900 mΩ | 5.0 A |
| MMD70R600PRH | DPAK | 600 mΩ | 7.3 A |
对照表数据来源：美格纳官网 700V SJ MOSFET 产品页（英太科技 2026-10 抓取）。同一表格内不同档位的 RDS(on) 与 Qg 存在此消彼长关系，选型时不要只看 RDS(on)。如需完整 700 V 全档位表（含 360 mΩ / 380 mΩ 档与 TO-220F 封装版本），可向英太科技索取。
三者之间的取舍逻辑：
- MMHS70R1K4PRH（1.4 Ω / 3.2 A）：导通电阻更低，但电流能力只有 3.2 A，适合电流小、更在意导通损耗的场合
- MMHS70R1K6QURH（1.6 Ω / 5.4 A）：电流能力更强，Qg 6.1 nC 偏小，综合驱动与开关损耗更平衡——通用档
- MMHS70R1K6RZURH（1.69 Ω / 5.4 A）：RDS(on) 略高，但 Qg 只有 5.3 nC，开关频率越高越占优
六、选型确认流程
flowchart TD
A["确认应用条件<br/>母线电压 / 开关频率 / 单管电流"] --> B{"700 V 耐压是否够？"}
B -->|"母线峰值可到 400 V 以上"| C{"RDS(on) 档位怎么定？"}
B -->|"不到 400 V"| Z["降到 600 V 档<br/>重新选型"]
C -->|"电流小、重导通损耗"| D["1.4 Ω 档<br/>MMHS70R1K4PRH（3.2 A）"]
C -->|"电流中等、要平衡"| E["1.6 Ω 档<br/>MMHS70R1K6QURH（5.4 A）"]
C -->|"频率高、重开关损耗"| F["1.69 Ω 低 Qg 档<br/>MMHS70R1K6RZURH（5.3 nC）"]
E --> G{"SOT-223-2L 散热够吗？<br/>Rthjc 23 °C/W"}
G -->|"够：Pd 与壳温核算通过"| H["可以定这个型号<br/>下一步核驱动与米勒平台"]
G -->|"不够"| I["换 DPAK / TO-220F 同族<br/>或并联分流"]
H --> J["英太科技协助核 BOM 与<br/>驱动电阻 / dvdt 裕量"]七、现货与供货
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 在库数量 | 21,000 PCS（统计时点 2026-09-28） |
| 品牌 | 美格纳 MAGNACHIP |
| 封装 / 包装 | SOT-223-2L / 卷带（Reel） |
| 供货方式 | 样片申请、小批量、批量 |
| 询价方式 | 电话 / 微信 136-3264-8484 |
库存是动态的。本页库存数字为 2026-09-28 的统计时点值，实际数量以实时询价为准；型号有出清或调整时，本页会同步更新或下线。
八、常见问题（FAQ）
Q1. MMHS70R1K6QURH 是什么器件？主要参数有哪些？
美格纳采用超级结工艺的 700 V N 沟道功率 MOSFET，SOT-223-2L 贴片封装。关键参数：VDSS 700 V、RDS(on) 典型 1.4 Ω / 最大 1.6 Ω（VGS=10V, ID=1.0A）、ID 5.4 A（Tc=25°C）、Qg 典型 6.1 nC、EAS 26 mJ、Tj 最高 150 °C。数据来源为美格纳官方 datasheet（Rev 1.1，2021-01-07）。
Q2. MMHS70R1K6QURH 现在有现货吗？可以买小批量吗？
有现货。 英太科技当前在库 21,000 PCS（统计时点 2026-09-28），卷带包装，支持样片申请、小批量与批量供货，可当天安排出货。实时数量与价格请电话 / 微信 136-3264-8484 确认。
Q3. MMHS70R1K6QURH 和 MMHS70R1K6RZURH 有什么区别？应该怎么选？
耐压同为 700 V、电流同为 5.4 A、封装同为 SOT-223-2L，差别在 RDS(on) 与 Qg：QURH 是 1600 mΩ / Qg 6.1 nC；RZURH 是 1690 mΩ / Qg 5.3 nC。更看重导通损耗选 QURH，开关频率高、更看重驱动与开关损耗则 RZURH 略优。数据来源为美格纳官网 700V SJ MOSFET 产品页。
Q4. MMHS70R1K6QURH 可以用在储能逆变器、PFC 电路里吗？
可以用于 700 V 母线的辅助电源、PFC 电源级、开关电源与适配器，这也是原厂 datasheet 标注的典型应用。但储能逆变器主功率级的电压、电流与热设计需按整机拓扑单独核算——SOT-223-2L 散热能力有限（Rthjc 23 °C/W、Rthja 75 °C/W），大功率场合建议评估 TO-220F / D2PAK 同族型号。英太科技可协助做选型与热核算。
九、相关方案
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十、产品规格书
以下为美格纳官方 datasheet（MMHS70R1K6Q，Rev 1.1，2021-01-07），完整电气特性、曲线与封装尺寸见原厂资料；器件参数以原厂正式资料与整机实测为准。
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本页器件参数来源：美格纳官方 datasheet《MMHS70R1K6Q》（Rev 1.1，2021-01-07）与美格纳官网 700V SJ MOSFET 产品页。参数以原厂正式资料与整机实测为准；库存数量为统计时点值，实际以实时询价为准。