CRSQ027N10N — 华润微 100V / 2.6mΩ N 沟道 MOSFET（TO-247）
一句话结论：CRSQ027N10N 是华润微电子（CR Micro）采用 SkyMOS1 工艺做的 100 V / 2.6 mΩ（典型）N 沟道功率 MOSFET，TO-247 封装，连续漏极电流 180 A（Tc=25°C，受封装限制）、单脉冲雪崩能量 529 mJ，主打「大电流 + 极低导通损耗」。深圳市英太科技有限公司当前在库 4,620 PCS，支持样片申请、当天出货与小批量供货（库存统计时点 2026-09-28，实时数量请电话 / 微信 136-3264-8484 确认）。
本文所有器件参数均取自华润微电子 CRSQ027N10N 官方 datasheet（产品摘要：VDS 100 V、RDS(on) 2.6 mΩ、ID 180 A，标注 100% Avalanche Tested / 100% DVDS Tested），逐项标注测试条件，未做跨器件推算。
一、这个型号是什么
CRSQ027N10N 属于华润微 SkyMOS1 系列的 100 V / 2.6 mΩ 档。型号里能直接读出来的信息有两处：
027—— 对应 RDS(on) 2.6 ~ 2.7 mΩ 档（datasheet：典型 2.6 mΩ / 最大 3.1 mΩ @ VGS=10V）N10—— 对应 N 沟道 / 100 V 电压等级
其余字母（CR / SQ）为厂商系列与工艺代号，本文不做推断性解读，需要时以原厂 datasheet 订货信息表为准。
它的定位很明确：耐压中压（100 V）、导通电阻极低（2.6 mΩ）、电流能力大（180 A 封装限制 / 273 A 硅片极限），配合 TO-247 的散热能力，适合「大电流、低电压、看重导通损耗」的场景。
二、关键参数速查
2.1 绝对最大额定（Tc = 25 °C，除非另有说明）
| 参数 | 符号 | 额定值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 100 V | — |
| 栅源电压 | VGS | ±20 V | — |
| 连续漏极电流 | ID | 180 A | Tc=25°C，受封装限制 |
| 连续漏极电流（硅片极限） | ID | 273 A | Tc=25°C，受 Tj,max 限制 |
| 连续漏极电流 | ID | 177 A | Tc=100°C |
| 脉冲漏极电流 | ID,pulse | 720 A | Tc=25°C，脉宽受 Tj,max 限制 |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 529 mJ | L=0.5mH, Rg=25Ω, Tj=25°C, ID=46A |
| 耗散功率 | Ptot | 454 W | Tc = 25 °C |
| 工作结温 / 存储温度 | Tj, Tstg | -55 ~ +150 °C | — |
注意 ID 的三个口径：datasheet 同时给出「封装限制 180 A（Tc=25°C）」「硅片极限 273 A（Tc=25°C）」与「177 A（Tc=100°C）」。部分分销商资料只写单一数字（如 240 A），与原厂条件口径不同——选型请以原厂最新 datasheet 的条件为准，并务必结合热设计核算。
2.2 热特性
| 参数 | 符号 | 最大值 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RthJC | 0.28 °C/W | 封装散热焊盘到壳 |
| 结-环境热阻 | RthJA | 48 °C/W | 最小焊盘（min. footprint）条件 |
TO-247 的 RthJC 只有 0.28 °C/W，这是它敢标 180 A 的底气——但前提是散热器与安装力矩到位。实际允许电流始终由「壳温 + 热阻 + 导通损耗」反算的结温决定，不要只看额定值。
2.3 静态特性（Tj = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 数值 | 测试条件 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 100 V | VGS = 0 V, ID = 250 µA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | 典型 3 V（min 2.2 / max 3.8） | VDS = VGS, ID = 250 µA |
| 导通电阻 | RDS(on) | 2.6 mΩ 典型 / 3.1 mΩ 最大 | VGS = 10 V |
| 关断漏电流 | IDSS | 见 datasheet | VDS = 100 V, VGS = 0 V |
| 栅极漏电流 | IGSS | 见 datasheet | VGS = ±20 V, VDS = 0 V |
2.4 动态特性（Tj = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 典型值 | 测试条件 |
|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | 11,355 pF | f = 1 MHz |
| 输出电容 | Coss | 1,446 pF | 同上 |
| 反向传输电容 | Crss | 54 pF | 同上 |
| 总栅极电荷 | Qg | 169 nC | VGS = 10 V |
| 品质因子 | Qg × RDS(on) | 低 FOM | 原厂标注「excellent Qg×RDS(on) product」 |
Ciss 11,355 pF 是个大数字：这个量级的输入电容意味着驱动回路必须给出足够的峰值电流，否则开通/关断会被拖长、开关损耗上升。Crss 只有 54 pF，米勒耦合小，抗 dv/dt 误开通的能力相对好——这颗器件对驱动器的要求是「电流够大」，而不是「电压够高」。
三、封装与订货信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 订货代码 | CRSQ027N10N |
| 封装 | TO-247（3 引脚） |
| 包装形式 | 管装（Tube），25 / 30 pcs |
| 温度范围 | -55 ~ +150 °C |
| 工艺标签 | SkyMOS1 技术、JEDEC 标准、100% 雪崩测试、100% DVDS 测试 |
| RoHS | 符合 |
四、典型应用场景
原厂 datasheet 标注的典型应用为 电机控制与驱动（Motor control and drive）、电池管理（Battery management）、UPS（不间断电源）。结合参数特征，适合的场景有共同点：
- 母线电压在 48 ~ 72 V 档：100 V 耐压留出充分裕量，又不必上到 150 V 档
- 单管要过大电流：180 A 封装限制 + 2.6 mΩ 导通电阻，导通损耗极低
- 散热条件可控：TO-247 可配散热器，RthJC 0.28 °C/W
- 低频到中频硬开关：如电机驱动、BMS 主回路、UPS 逆变级
对应到英太科技服务客户的实际落点是：电动两轮 / 三轮车与低速四轮电机的控制器、储能 BMS 的大电流主回路与预充回路、工业 UPS 的功率级、大电流 DC-DC 同步整流。
⚠️ 反过来要避开的场景：母线电压高于 100 V 的场合（如 400 V 光伏 / 储能母线）——这类应用应改看 600 V 以上的超结 MOSFET 或 IGBT（可参考 SiC 和 IGBT 怎么选）。
五、英太在库 MOSFET 横向对照
| 型号 | VDS 电压档 | RDS(on) 典型 @10V | ID / 封装 |
|---|---|---|---|
| CRSQ027N10N（华润微） | 100 V | 2.6 mΩ | 180 A（封装限制）/ TO-247 |
| CRTS029N06N（华润微） | 60 V | 1.9 mΩ | 160 A / TO-263 |
| MMHS70R1K6QURH（美格纳） | 700 V | 1400 mΩ | 5.4 A / SOT-223-2L |
| AGM304D（芯控源 AGM） | 30 V | 2.8 mΩ | 100 A / TO-252 |
逐行数据来自各型号原厂 datasheet，测试条件不同（电压档、封装、电流口径均不同），不可直接横向相减或换算；本表仅用于快速定位「哪一档更接近你的母线电压」。
六、选型确认流程
flowchart TD
A["确认母线电压 / 负载电流 / 散热方式"] --> B{"母线峰值是否低于 80 V？"}
B -->|"是"| C{"电流是否超过 60 A？"}
B -->|"否"| Z["升档：600V 以上超结 MOSFET / IGBT"]
C -->|"是，且可配散热器"| D["CRSQ027N10N<br/>100V / 2.6mΩ / 180A / TO-247"]
C -->|"否，且板面受限"| E["看 TO-263 封装档<br/>CRTS029N06N（60V / 1.9mΩ）"]
D --> F{"驱动峰值电流够不够？<br/>Ciss 11,355 pF"}
F -->|"够"| G{"热核算通过？<br/>RthJC 0.28 °C/W"}
F -->|"不够"| H["加大驱动电流 / 减小栅极电阻<br/>重新评估开关损耗"]
G -->|"通过"| I["可以定这个型号"]
G -->|"不通过"| J["并管分流或换更大封装"]
I --> K["英太科技协助核 BOM、<br/>驱动电阻与热设计"]七、现货与供货
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 在库数量 | 4,620 PCS（统计时点 2026-09-28） |
| 品牌 | 华润微 CR Micro |
| 封装 / 包装 | TO-247 / 管装（Tube） |
| 供货方式 | 样片申请、小批量、批量 |
| 询价方式 | 电话 / 微信 136-3264-8484 |
库存是动态的。本页库存数字为 2026-09-28 的统计时点值，实际数量以实时询价为准；型号有出清或调整时，本页会同步更新或下线。
八、常见问题（FAQ）
Q1. CRSQ027N10N 是什么器件？主要参数有哪些？
CRSQ027N10N 是华润微电子（CR Micro）采用 SkyMOS1 工艺的 100 V N 沟道功率 MOSFET，TO-247 封装。关键参数：VDS 100 V、RDS(on) 典型 2.6 mΩ / 最大 3.1 mΩ（VGS=10V）、连续漏极电流 ID 180 A（Tc=25°C，受封装限制；硅片极限 273 A）、单脉冲雪崩能量 EAS 529 mJ、总栅极电荷 Qg 169 nC、耗散功率 454 W。数据来源为华润微官方 datasheet。
Q2. CRSQ027N10N 现在有现货吗？可以买小批量吗？
有现货。深圳市英太科技有限公司当前在库 4,620 PCS（库存统计时点 2026-09-28），管装，支持样片申请、小批量与批量供货，可当天安排出货。具体数量与价格请电话 / 微信 136-3264-8484 确认实时库存。
Q3. CRSQ027N10N 的 ID 到底是多少？为什么不同资料写 180A / 240A / 273A？
因为口径不同。原厂 datasheet 同时给出：受封装限制 180 A（Tc=25°C）、硅片极限 273 A（Tc=25°C）、177 A（Tc=100°C）。部分分销商资料标注的 240 A 与原厂条件口径不一致。选型请以原厂最新 datasheet 的条件为准，并按实际壳温与热阻反算结温，不要直接按额定值当连续工作电流。
Q4. CRSQ027N10N 可以用在 BMS 和电机驱动里吗？
可以。原厂 datasheet 标注的典型应用即为电机控制与驱动、电池管理（BMS）、UPS。100 V 耐压适合 48 ~ 72 V 母线，2.6 mΩ 导通电阻适合大电流主回路。注意 Ciss 达 11,355 pF，驱动回路必须给出足够峰值电流；TO-247 需配散热器，实际电流按壳温与 RthJC 0.28 °C/W 反算。英太科技可协助做选型与热核算。
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本页器件参数来源：原厂官方 datasheet（见正文标注）。参数以原厂正式资料与整机实测为准；库存数量为统计时点值，实际以实时询价为准。