CRTS029N06N — 华润微 60V / 1.9mΩ N 沟道 MOSFET（TO-263）
一句话结论：CRTS029N06N 是华润微电子（CR Micro）采用沟槽（Trench）工艺做的 60 V / 1.9 mΩ（典型）N 沟道功率 MOSFET，TO-263（D2PAK）贴片封装，连续漏极电流 160 A、耗散功率 254 W，主打「贴片大电流 + 低导通损耗」。深圳市英太科技有限公司当前在库 38,970 PCS（本次清库重点），支持样片申请、当天出货与小批量供货（库存统计时点 2026-09-28，实时数量请电话 / 微信 136-3264-8484 确认）。
本文所有器件参数均取自华润微电子 CRTS029N06N 官方 datasheet（Rev 2.0，产品摘要：60 V、RDS(on) 典型 1.9 mΩ、ID 160 A，标注 100% DVDS Tested / 100% Avalanche Tested），逐项标注测试条件，未做跨器件推算。
一、这个型号是什么
CRTS029N06N 属于华润微沟槽 MOSFET 系列的 60 V / 1.9 mΩ 档。型号里能直接读出来的信息有两处：
029—— 对应 RDS(on) 2.9 mΩ 档（datasheet：典型 1.9 mΩ / 最大 2.9 mΩ @ VGS=10V）N06—— 对应 N 沟道 / 60 V 电压等级
其余字母（CR / TS）为厂商系列与沟槽工艺代号，本文不做推断性解读，需要时以原厂 datasheet 订货信息表为准。
它的定位很明确：耐压 60 V（48 V 母线的标准档）、导通电阻低（1.9 mΩ）、电流大（160 A）、贴片封装（TO-263），适合「要求贴装、又要过大电流」的场景。
二、关键参数速查
2.1 绝对最大额定（Tc = 25 °C，除非另有说明）
| 参数 | 符号 | 额定值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 60 V | — |
| 栅源电压 | VGS | ±25 V | — |
| 连续漏极电流 | ID | 160 A | Tc = 25 °C |
| 耗散功率 | Pd | 254 W | Tc = 25 °C |
| 工作结温 / 存储温度 | Tj, Tstg | -55 ~ +150 °C | — |
2.2 静态特性（Tj = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 数值 | 测试条件 |
|---|---|---|---|
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | 典型 3 V（min 2.4 / max 3.6） | ID = 250 µA |
| 导通电阻 | RDS(on) | 1.9 mΩ 典型 / 2.9 mΩ 最大 | VGS = 10 V |
| 漏源电压 | VDS | 60 V | — |
2.3 动态特性（Tj = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 典型值 | 测试条件 |
|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | 7,830 pF | VDS = 30 V |
| 输出电容 | Coss | 1,208 pF | VDS = 30 V |
| 反向传输电容 | Crss | 577 pF | VDS = 30 V |
| 总栅极电荷 | Qg | 183 nC | VGS = 10 V |
Crss 577 pF 值得单独看一眼：这个反向传输电容在 60 V 档里偏大，意味着 dv/dt 引起的米勒耦合更强——桥式拓扑里要特别小心「上管开通时把下管栅极抬起来」的直通风险，栅极回路需做负压或加钳位。作为交换，它的 RDS(on) 只有 1.9 mΩ、Qg 183 nC，导通与开关损耗的平衡点在「大电流、中低频」这一侧。
三、封装与订货信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 订货代码 | CRTS029N06N |
| 封装 | TO-263（D2PAK，贴片） |
| 包装形式 | 盒装 / 卷带（Reel），1000 pcs |
| 温度范围 | -55 ~ +150 °C |
| 工艺标签 | CRM(CQ) 沟槽技术、JEDEC 标准、100% DVDS 测试、100% 雪崩测试 |
| RoHS | 符合 |
四、典型应用场景
原厂 datasheet 标注的典型应用为 电机控制与驱动（Motor control and drive）、电池管理（Battery management）、UPS（不间断电源）。结合参数特征，适合的场景有共同点：
- 母线电压 36 ~ 48 V 档：60 V 耐压留出充分裕量，是电摩 / 电自控制器与 48 V 储能的标准档
- 要贴装、又要过大电流：TO-263 贴片封装比 TO-247 省空间，又能承接 160 A 档
- 大电流低损耗优先：1.9 mΩ 的导通电阻在百安级很有价值
- 中低频硬开关：电机驱动、BMS 主回路、UPS
对应到英太科技服务客户的实际落点是：电动两轮 / 三轮车控制器、48 V 储能 BMS 充放电主回路与预充回路、低压 UPS 功率级、大电流 DC-DC 同步整流。
⚠️ 反过来要避开的场景：母线电压高于 60 V 的场合——例如 72 V 电摩控制器应改用 100 V 档（可看 CRSQ027N10N）。
五、英太在库 MOSFET 横向对照
| 型号 | VDS 电压档 | RDS(on) 典型 @10V | ID / 封装 |
|---|---|---|---|
| CRSQ027N10N（华润微） | 100 V | 2.6 mΩ | 180 A（封装限制）/ TO-247 |
| CRTS029N06N（华润微） | 60 V | 1.9 mΩ | 160 A / TO-263（贴片） |
| AGM304D（芯控源 AGM） | 30 V | 2.8 mΩ | 100 A / TO-252 |
| MMHS70R1K6QURH（美格纳） | 700 V | 1400 mΩ | 5.4 A / SOT-223-2L |
逐行数据来自各型号原厂 datasheet，测试条件不同（电压档、封装、电流口径均不同），不可直接横向相减或换算；本表仅用于快速定位「哪一档更接近你的母线电压」。
六、选型确认流程
flowchart TD
A["确认母线电压 / 负载电流 / 是否必须贴片"] --> B{"母线峰值是否低于 48 V？"}
B -->|"是"| C{"是否要求贴片封装？"}
B -->|"否，48~72V"| Z["升档：100V 档<br/>CRSQ027N10N"]
C -->|"是"| D["CRTS029N06N<br/>60V / 1.9mΩ / 160A / TO-263"]
C -->|"否，可上散热器"| E["评估 TO-247 封装档<br/>散热更好、可过大电流"]
D --> F{"是否用于桥式拓扑？"}
F -->|"是"| G["重点处理 Crss 577pF<br/>防米勒误导通（负压/钳位）"]
F -->|"否，单管开关"| H["直接核驱动与热阻即可"]
G --> I{"热核算通过？"}
H --> I
I -->|"通过"| J["可以定这个型号"]
I -->|"不通过"| K["并管分流或改 TO-247"]
J --> L["英太科技协助核 BOM、<br/>驱动电阻与热设计"]七、现货与供货
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 在库数量 | 38,970 PCS（统计时点 2026-09-28） |
| 品牌 | 华润微 CR Micro |
| 封装 / 包装 | TO-263（D2PAK）/ 盒装、卷带 |
| 供货方式 | 样片申请、小批量、批量 |
| 询价方式 | 电话 / 微信 136-3264-8484 |
库存是动态的。本页库存数字为 2026-09-28 的统计时点值，实际数量以实时询价为准；型号有出清或调整时，本页会同步更新或下线。
八、常见问题（FAQ）
Q1. CRTS029N06N 是什么器件？主要参数有哪些？
CRTS029N06N 是华润微电子（CR Micro）采用沟槽工艺的 60 V N 沟道功率 MOSFET，TO-263（D2PAK）贴片封装。关键参数：VDS 60 V、RDS(on) 典型 1.9 mΩ / 最大 2.9 mΩ（VGS=10V）、连续漏极电流 ID 160 A、耗散功率 Pd 254 W、总栅极电荷 Qg 183 nC、输入电容 Ciss 7,830 pF、栅极阈值电压典型 3 V。数据来源为华润微官方 datasheet（Rev 2.0）。
Q2. CRTS029N06N 现在有现货吗？可以买小批量吗？
有现货，且是英太科技本次清库的重点型号。当前在库 38,970 PCS（库存统计时点 2026-09-28），TO-263 贴片封装，支持样片申请、小批量与批量供货，可当天安排出货。具体数量与价格请电话 / 微信 136-3264-8484 确认实时库存。
Q3. CRTS029N06N 和 CRSQ027N10N 怎么选？
主要看母线电压与封装。CRTS029N06N 是 60 V / 1.9 mΩ / 160 A，TO-263 贴片封装，适合 36 ~ 48 V 母线、要求贴装的场合（如电摩控制器、48 V 储能 BMS）。CRSQ027N10N 是 100 V / 2.6 mΩ / 180 A，TO-247 插件封装，适合 48 ~ 72 V 母线、可配散热器的场合。两者电压档与封装都不同，不能直接换算。
Q4. CRTS029N06N 用在桥式电路里要注意什么？
重点防米勒误导通。该器件 Crss 达 577 pF，在 60 V 档里偏大，桥式拓扑中上管开通时的 dv/dt 会通过米勒电容耦合到下管栅极，可能造成直通。建议栅极加负压关断或栅源钳位、控制栅极回路阻抗、必要时降低开关速度。另外 TO-263 贴片封装散热依赖铜箔面积，需按实际壳温与热阻反算结温。英太科技可协助核算。
九、相关方案
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十、产品规格书
以下为华润微电子官方 datasheet（CRTS029N06N，Rev 2.0），完整电气特性、曲线与封装尺寸见原厂资料；器件参数以原厂正式资料与整机实测为准。
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本页型号由深圳市英太科技有限公司现货供应。英太科技成立于 2020 年，是安美半导体（AMSEMI）授权代理商（授权区域：华南地区，代理证书可核验），同时经营兆易创新 GD32 MCU、华润微功率器件（MOSFET / IGBT / SiC）、美格纳 Magnachip MOSFET / IGBT、华普微（HOPERF）CMT 系列数字隔离器件，服务储能、光伏、工控、BMS 行业客户 200+。
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本页器件参数来源：原厂官方 datasheet（见正文标注）。参数以原厂正式资料与整机实测为准；库存数量为统计时点值，实际以实时询价为准。