AGM304D — 芯控源 30V / 2.8mΩ N 沟道 MOSFET（TO-252）
一句话结论：AGM304D 是芯控源（AGMSEMI）采用高单元密度沟槽工艺做的 30 V / 2.8 mΩ（@10V）N 沟道功率 MOSFET，TO-252（DPAK）贴片封装，连续漏极电流 100 A，主打「低栅极电荷 + 低导通损耗 + 贴片小体积」，原厂定位为负载开关与电池保护应用。深圳市英太科技有限公司当前在库 5,000 PCS，支持样片申请、当天出货与小批量供货（库存统计时点 2026-09-28，实时数量请电话 / 微信 136-3264-8484 确认）。
本文所有器件参数均取自芯控源 AGM304D 官方 datasheet（产品摘要：VDS 30 V、ID 100 A、Pd 55 W、VGS(th) 1.6 V，标注 100% 雪崩测试 / 100% DVDS 测试），逐项标注测试条件，未做跨器件推算。
一、这个型号是什么
AGM304D 属于芯控源 AGMSEMI 的 30 V 低压沟槽 MOSFET 系列。型号里的 30 对应 30 V 电压等级，其余字符（AGM / 4 / D）为厂商内部系列与封装代号，本文不做推断性解读，需要时以原厂 datasheet 订货信息表为准。
它的定位很明确：耐压低（30 V）、导通电阻低（2.8 mΩ @10V，且在 4.5 V 栅压下仍只有 4.3 mΩ）、栅极电荷小（40 nC）、贴片小封装（TO-252）。30 V 档 + 谷值仅 1.6 V 的阈值电压，说明它能在低栅压（4.5 V 甚至更低）下良好导通，这正是电池供电设备的典型需求。
二、关键参数速查
2.1 绝对最大额定（Tc = 25 °C，除非另有说明）
| 参数 | 符号 | 额定值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 30 V | — |
| 连续漏极电流 | ID | 100 A | Tc = 25 °C |
| 耗散功率 | Pd | 55 W | Tc = 25 °C |
| 工作结温 / 存储温度 | Tj, Tstg | -55 ~ +150 °C | — |
2.2 静态特性（Tj = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 数值 | 测试条件 |
|---|---|---|---|
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | 典型 1.6 V | ID = 250 µA |
| 导通电阻 | RDS(on) | 2.8 mΩ | VGS = 10 V |
| 导通电阻 | RDS(on) | 4.3 mΩ | VGS = 4.5 V |
4.5 V 栅压下只有 4.3 mΩ，这是这颗器件的核心竞争力：很多 30 V MOSFET 在 4.5 V 栅压（电池直接供电的驱动电平）下 RDS(on) 会明显劣化，而 AGM304D 从 2.8 mΩ 只升到 4.3 mΩ，意味着低压驱动电路不需要额外的升压或电荷泵。
2.3 动态特性（Tj = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 典型值 | 测试条件 |
|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | 2,800 pF（2.8 nF） | — |
| 输出电容 | Coss | 305 pF | — |
| 反向传输电容 | Crss | 253 pF | — |
| 总栅极电荷 | Qg | 40 nC | VGS = 10 V |
Qg 只有 40 nC，配合 2.8 nF 的输入电容，驱动轻松、开关快——但 Crss 253 pF 相对 Ciss 的比值不小（约 9%），在桥式或高 dv/dt 场合仍要注意米勒耦合。
三、封装与订货信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 订货代码 | AGM304D |
| 封装 | TO-252（DPAK，贴片） |
| 包装形式 | 编带 / 卷带（Tape & Reel），2500 pcs |
| 温度范围 | -55 ~ +150 °C |
| 工艺标签 | 高单元密度沟槽技术、低栅极电荷、低热阻、100% 雪崩测试、100% DVDS 测试 |
| RoHS | 符合 |
四、典型应用场景
原厂 datasheet 标注的典型应用为 MB / VGA Vcore、开关电源二次同步整流器、负载点（POL）应用、无刷直流电机驱动器，并特别指出「非常适合负载开关和电池保护应用」。结合参数特征，适合的场景有共同点：
- 母线 / 电池电压在 12 ~ 24 V 档：30 V 耐压对 5 V / 12 V / 24 V 系统留出裕量
- 栅极只能给到 4.5 V 甚至更低：低阈值 + 4.5 V 下 4.3 mΩ，是电池直驱的理想选择
- 要求小体积贴装：TO-252 占板面积小
- 开关频率不低：Qg 仅 40 nC，适合高频同步整流与 POL
对应到英太科技服务客户的实际落点是：锂电池保护板（BMS 的充放电 MOS）、便携设备的负载开关与电源路径管理、DC-DC 同步整流、低压 BLDC 驱动、主板 / 显卡多相供电。
⚠️ 反过来要避开的场景：母线电压高于 24 V 的场合——例如 48 V 储能与电摩控制器应改用 60 V 档（可看 CRTS029N06N）。
五、英太在库 MOSFET 横向对照
| 型号 | VDS 电压档 | RDS(on) 典型 @10V | ID / 封装 |
|---|---|---|---|
| AGM304D（芯控源 AGM） | 30 V | 2.8 mΩ（4.5V 下 4.3 mΩ） | 100 A / TO-252（贴片） |
| CRTS029N06N（华润微） | 60 V | 1.9 mΩ | 160 A / TO-263 |
| CRSQ027N10N（华润微） | 100 V | 2.6 mΩ | 180 A（封装限制）/ TO-247 |
| MMHS70R1K6QURH（美格纳） | 700 V | 1400 mΩ | 5.4 A / SOT-223-2L |
逐行数据来自各型号原厂 datasheet，测试条件不同（电压档、封装、电流口径均不同），不可直接横向相减或换算；本表仅用于快速定位「哪一档更接近你的母线电压」。
六、选型确认流程
flowchart TD
A["确认母线 / 电池电压、负载电流、驱动电平"] --> B{"母线峰值是否低于 24 V？"}
B -->|"否"| Z["升档：60V（CRTS029N06N）或更高"]
B -->|"是"| C{"栅极驱动电平是多少？"}
C -->|"4.5 V 或更低（电池直驱）"| D["AGM304D<br/>30V / 2.8mΩ@10V、4.3mΩ@4.5V"]
C -->|"10 V 以上"| E["同样适用，<br/>RDS(on) 进一步降到 2.8mΩ"]
D --> F{"是否桥式 / 高 dv/dt 场合？"}
E --> F
F -->|"是"| G["注意 Crss 253pF<br/>栅极加钳位防误导通"]
F -->|"否，负载开关 / 同步整流"| H["直接核驱动电流与热阻"]
G --> I{"热核算通过？<br/>Pd 55W / TO-252 靠铜箔散热"}
H --> I
I -->|"通过"| J["可以定这个型号"]
I -->|"不通过"| K["加大铜箔面积或并管分流"]
J --> L["英太科技协助核 BOM、<br/>驱动电阻与热设计"]七、现货与供货
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 在库数量 | 5,000 PCS（统计时点 2026-09-28） |
| 品牌 | 芯控源 AGMSEMI |
| 封装 / 包装 | TO-252（DPAK）/ 编带、卷带 |
| 供货方式 | 样片申请、小批量、批量 |
| 询价方式 | 电话 / 微信 136-3264-8484 |
库存是动态的。本页库存数字为 2026-09-28 的统计时点值，实际数量以实时询价为准；型号有出清或调整时，本页会同步更新或下线。
八、常见问题（FAQ）
Q1. AGM304D 是什么器件？主要参数有哪些？
AGM304D 是芯控源（AGMSEMI）采用高单元密度沟槽技术的 30 V N 沟道功率 MOSFET，TO-252（DPAK）贴片封装。关键参数：VDS 30 V、RDS(on) 典型 2.8 mΩ @VGS=10V（4.3 mΩ @VGS=4.5V）、连续漏极电流 ID 100 A、耗散功率 Pd 55 W、栅极阈值电压典型 1.6 V、总栅极电荷 Qg 40 nC、输入电容 Ciss 2.8 nF。数据来源为芯控源官方 datasheet。
Q2. AGM304D 现在有现货吗？可以买小批量吗？
有现货。深圳市英太科技有限公司当前在库 5,000 PCS（库存统计时点 2026-09-28），TO-252 贴片封装、编带包装，支持样片申请、小批量与批量供货，可当天安排出货。具体数量与价格请电话 / 微信 136-3264-8484 确认实时库存。
Q3. AGM304D 在 4.5V 栅压下能正常工作吗？
可以，这正是它的优势之一。AGM304D 的栅极阈值电压典型仅 1.6 V，在 VGS=4.5 V 时 RDS(on) 典型值只有 4.3 mΩ（VGS=10V 时为 2.8 mΩ），因此可以直接用电池电平驱动，无需额外的电荷泵或升压驱动电路。选型时按 4.5 V 条件下的 4.3 mΩ 做导通损耗估算更稳妥。
Q4. AGM304D 适合用在锂电池保护板和负载开关里吗？
适合。原厂 datasheet 明确将该器件定位为负载开关与电池保护应用，典型应用还包括开关电源二次同步整流器、负载点（POL）应用与无刷直流电机驱动器。30 V 耐压适配 12 ~ 24 V 系统，TO-252 贴片封装散热依赖铜箔面积，实际电流需按壳温与热阻反算结温。英太科技可协助做选型与热核算。
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本页器件参数来源：原厂官方 datasheet（见正文标注）。参数以原厂正式资料与整机实测为准；库存数量为统计时点值，实际以实时询价为准。